SGW25N120E8161
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
SGW25N120E8161 datasheet
-
МаркировкаSGW25N120E8161
-
ПроизводительInfineon Technologies
-
ОписаниеInfineon Technologies SGW25N120E8161 Product Category: IGBT Transistors RoHS: yes Configuration: Single Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1200 V Maximum Gate Emitter Voltage: +/- 20 V Maximum Operating Temperature: + 150 C Package / Case: TO-247-3 Continuous Collector Current Ic Max: 46 A Minimum Operating Temperature: - 55 C Mounting Style: Through Hole
-
Количество страниц10 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
10.06.2024
09.06.2024
08.06.2024